Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 3 » Статья стр. 39
<<<>>>
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах InP
Ваганов С.А.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sv.exciton@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.
PDF версия
Экспериментально исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения "эпитаксиальных" слоев InP. Наблюдаемый низкотемпературный рост интегрального поглощения экситона K(T) интерпретируется при помощи механизма экситон-поляритонного светопереноса в полупроводниковых кристаллах с пространственной дисперсией. Экспериментально определены критическая температура Tc=200 K, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, и соответствующие ему значения критического параметра затухания Gammac=0.341 meV, продольно-поперечного расщепления homegaLT=0.175 meV и силы осциллятора экситонного перехода beta=0.237· 10-4. Выделена температурная зависимость истинного диссипативного затухания.
  1. Ахмедиев Н.Н. // ЖЭТФ. 1980. Т. 79. B. 4 (10). C. 1534--1543
  2. Voigt J. // Phys. Status Solidi B. 1974. V. 64 (2). P. 549
  3. Ахмедиев Н.Н., Голубев Г.Р., Днепровский В.С., Жуков Е.А. // ФТТ. 1983. Т. 25. В. 7. С. 2225--2227
  4. Kosobukin V.F., Seisyan R.P., Vaganov S.A. // Semicond. Sci. Techn. 1993. V. 8 (7). P. 1235--1238
  5. Алиев Г.Н., Кощуг О.С., Сейсян Р.П. // ФТТ. 1994. Т. 36. В. 2. С. 373--338
  6. Datsiev R.M., Kosobukin V.A., Luk'yanova N.V., Seisyan R.P., Vladimirova M.R. // Electrochemical Society Proceedings / Ed. by R.T. Williams, W.M. Yen. 1998. V. 98--25. P. 228--233
  7. Сейсян Р.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М.: Наука, 1984. 163 с
  8. Ваганов С.А., Сейсян Р.П. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 1. С. 104--110
  9. Маркосов М.С., Сейсян Р.П. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 5. С. 656--661
  10. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP/bandsr.html
  11. Абдулаев М.А., Кохановский С.И., Макушенко Ю.М., Сейсян Р.П. // ФТП. 1989. Т. 23. В. 7. С. 1156--1159
  12. Кохановский С.И., Макушенко Ю.М., Сейсян Р.П., Эфрос А.Л., Язева Т.В., Абдуллаев М.А. // ФТТ. 1991. Т. 33. В. 6. С. 1719
  13. Rudin S., Reinecke T.L., Segall B. // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 17. P. 11 218--11 231
  14. Сейсян Р.П., Кособукин В.А., Маркосов М.С. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 11. С. 1321--1330

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme