Модификация монослойной прослойки нижележащим подслоем и ее влияние на механизм роста пленки
Плюснин Н.И.1, Тарима Н.А.1, Ильященко В.М.1, Китань С.А.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток Владивостокский государственный университет экономики и сервиса
Email: plusnin@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.
Приведены результаты работы по исследованию влияния верхнего монослоя Si в прослойках Fe-Si на механизм роста пленок Cu толщиной 7 ML при их осаждении из молекулярно-лучевого источника. Исследование проводили в условиях сверхвысокого вакуума методами спектроскопии характеристических потерь энергии электронов и электронной оже-спектроскопии. Кроме того, в атмосфере была исследована морфология полученных образцов методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что на прослойке Si(1ML)/Fe2Si3(5ML)/Si(001) пленка Cu растет псевдопослойно (с растворением монослоя Si), а на прослойке Si(1ML)/Fe(1ML)/Si(1ML)/Fe(1ML)/Si(001) - в виде островков. Данный эффект объясняется различным химическим состоянием поверхности верхнего монослоя Si, обусловленным влиянием на это состояние нижележащих подслоев Fe-Si с различной структурой.
- Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. // Введение в физику поверхности. М.: Наука, 2005. 305 с
- Paredis K., Vanormelingen K., Vantomme A. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 043111
- Pedersen K., Kristensen T.B., Pedersr T.G. et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 66. P. 153406
- Плюснин Н.И., Ильященко В.М., Китань С.А., Крылов С.В. // Письма в ЖТФ. Т. 33. В. 11. С. 79--86
- Лифшиц В.Г., Луняков Ю.В. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии. Владивосток: Дальнаука, 2004. 315 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.