Вышедшие номера
О механизме формирования инкапсулированных наночастиц при импульсном лазерном осаждении тонкопленочных покрытий WSex
Фоминский В.Ю.1,2, Григорьев С.Н.1,2, Гнедовец А.Г.1,2, Романов Р.И.1,2
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия
Email: vyfominskij@mephi.ru
Поступила в редакцию: 15 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Исследованы факторы, влияющие на образование наночастиц со структурой сферического металлического W ядра в оболочке из WSe2 при осаждении тонких пленок диселенида вольфрама в варьируемых условиях (давление буферного газа Ar, температура подложки). Установлено, что металлическое ядро формируется на стадии абляции синтезированной мишени WSe2, а оболочка нарастает в результате процессов конденсации, миграции и перераспределения атомов при осаждении лазерно-инициированного атомарного потока на поверхности растущей пленки. Торможение атомарного потока буферным газом в диапазоне давлений 2-10 Pa не обеспечивало активирования процессов конденсации оболочки на ядре в газовой фазе. Повышение температуры подложки от комнатной до 250oC инициировало трансформацию аморфной структуры оболочки в ламинарную.