Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2013, выпуск 8 » Статья стр. 9
<<<>>>
Инжекционные полупроводниковые лазеры InGaAs/GaAs с волноводом на одиночной квантовой яме
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А.1, Пихтин Н.А.1, Лешко А.Ю.1, Рожков А.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: SergHPL@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
PDF версия
Созданы инжекционные полупроводниковые лазеры, излучающие на длине волны 1065 nm, с волноводом на основе одной квантовой ямы InGaAs. Показано, что внутренние оптические потери определяются шириной нелегированной области, заключенной между эмиттерами n- и p-типов проводимости. Полученное значение суммарной выходной оптической мощности, при комнатной температуре, у лазеров с апертурой 100 mum составило 2 W при расходимости излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, 15o.
  1. Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Фетисова Н.В., Хомылев М.А., Мармалюк А.А., Никитин Д.Б., Падалица А.А., Залевский И.Д., Тарасов И.С. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. С. 26
  2. Pietrzak A., Crump P., Hans Wenzel et al. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2011. V. 17. P. 1715
  3. Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Алфёров Ж.И. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 1477--1486
  4. Ryvkin B., Avrutin E. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. P. 103 107
  5. Швейкин В.И., Геловани В.А. // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. N 8. С. 683--688
  6. Maximov M.V., Shernyakov Yu.M., Novikov I.I., Kuznetsov S.M., Karachinsky L.Ya., Gordeev N.Yu., Kalosha V.P., Shchukin V.A., Ledentsov N.N. // Electronics Letters. 23rd June. 2005. V. 41. N 13
  7. Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Яблонский А.Н. // 3-й Российский симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология ". Санкт-Петербург, 2012
  8. Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Хомылев М.А., Шамахов В.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Налет Т.А., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Тарасов И.С. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 388--392
  9. Crump P., Blume G., Paschke K. et al. // Proc. of SPIE. 2009. V. 7198. P. 719 814
  10. Coldren L.A., Corsine S.W. Diode lasers and photonic integrated circuits. N.Y.: John Wiley \& Sons Inc., 1995
  11. Слипченко С.О., Шашкин И.С., Вавилова Л.С., Винокуров Д.А., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Подоскин А.А., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Тарасов И.С. // ФТП. 2009. Т. 44. С. 688

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme