О возможности управления красной границей туннельного фотоэффекта в углеродных наноразмерных структурах в широком диапазоне длин волн --- от ультрафиолетового до инфракрасного
Акчурин Г.Г.1, Якунин А.Н.1, Абаньшин Н.П.1, Горфинкель Б.И.1, Акчурин, мл. Г.Г.1
1Институт проблем точной механики и управления РАН, Саратов ООО "Волга
Поступила в редакцию: 13 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.
Исследован туннельный фотоэффект в микродиоде с локализацией электростатического поля на эмиттере углеродной наноразмерной структуры. Экспериментально обнаружено, что при облучении углеродного эмиттера лазерными и светодиодными пучками фотонов с низкой энергией (меньше работы выхода) в спектральном диапазоне от ближнего УФ (380 nm) до ближнего ИК (1550 nm) микро- и милливаттной оптической мощности возможно инициирование туннельного фототока за счет управления напряженностью поля в зазоре "эмиттер-анод". Использование модифицированного уравнения Фаулера-Нордгейма для описания неравновесных фотоэлектронов позволяет интерпретировать наблюдаемое явление. Обсуждаются особенности построения и применения фотодетекторов на основе туннельного фотоэффекта с управляемой красной границей. Проведена оценка широкополосности исследуемого фотоэмиттера, прогнозируется возможность его работы в диапазоне длин волн от УФ вплоть до дальнего ИК.
- Нолле Э.Л. // УФН. 2007. Т. 177. N 10. С. 1133
- Нолле Э.Л., Щелев М.Я. // ЖТФ. 2005. Т. 75. N 11. С. 136
- Проценко И.Е., Усков А.В. // УФН. 2012. Т. 182. N 5. С. 543
- Щелев М.Я. // УФН. 2012. Т. 182. N 6. С. 649--656
- Lawrence E.O., Linford L.B. // Phys. Rev. 1930. V. 36. Iss. 3. P. 482
- Fowler R.H., Nordheim L. // Proc. Roy. Soc. Lond. 1928. V. A119. P. 173
- Bornmann B., Mingels S., Serbun P. et al. // Proc. of 25th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC). 2012. 9--13 July 2012. P. 1--2. DOI: 10.1109/IVNC. 2012.6316980
- Горфинкель Б.И., Абаньшин Н.П., Якунин А.Н. // Патент РФ на изобретение N 2446506. Зарег. 27.03.2012 г
- Морев С.П., Абаньшин Н.П., Горфинкель Б.И., Дармаев А.Н., Комаров Д.А., Макеев А.Э., Якунин А.Н. // Радиотехника и электроника. 2013. Т. 58. N 4. С. 399
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 668 с
- Vyuga Dmitry / Proefschrift. Eindhoven: Technische Universiteit Eindhoven. 2006. 101 p
- Good R.H., Muller E.W. // Handbuch der Physik / Ed. by S. Flugge. Berlin-- Gottingen--Heidelberg: Springler-Verlag, 1956. V. 21. P. 176
- Бродский А.М., Гуревич Ю.Я. Теория электронной эмиссии из металлов. М.: Наука, 1973. 256 с
- Fursey G. Field emission in vacuum microelectronics. New York: Kluwer Academic--Plenum Publishers, 2005. 205 p
- Абаньшин Н.П., Горфинкель Б.И., Якунин А.Н. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 20. C. 52
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук