Влияние нейтронного облучения на экситонное поглощение в арсениде галлия
Джибути З.В.1, Долидзе Н.Д.1, Цеквава Б.Е.1, Эристави Г.Л.1
1Тбилисский государственный университет им. Ив. Джавахишвили, Грузия
Email: nugo@geo.net.ge
Поступила в редакцию: 15 января 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.
Исследуется влияние нейтронного облучения на экситонное поглощение в n-GaAs. Показано, что наблюдаемое уменьшение величины коэффициента поглощения, уширение экситонного пика и сдвиг его максимума в сторону больших энергий вызвано электрическими и деформационными полями (сжатия), созданными радиационными дефектами.
- Sturge M.D. // Phys. Rev. 1962. V. 127. N 3. P. 768--772
- Абдулаев М.А., Агекян В.Т., Сейсян Р.П. // ФТП. 1973. Т. 7. В. 11. C. 2217--2224
- Сафаров В.И., Титков А.Н., Шлимак И.С. // ФТТ. 1970. Т. 12. В. 12. С. 3485--3490
- Alperovich V.L., Zaletin V.M., Kravchenko A.F. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. V. 77. P. 465--472
- Джибути З.В., Рехвиашвили Д.Н., Эристави Г.Л. // Сообщ. АН ГССР. 1987. Т. 125. В. 2. С. 297--300
- Dolidze N., Jibuti Z., Eristavi G. et al. // Bulletin of the Georgian Academy of Sciences. 2002. V. 166. N 3. P. 259--262
- Lang D.V // Inst. Phys. Conf. Ser. 1977. V. 31. Ch. 1. P. 70--94
- Экситоны / Под ред. Э.И. Рашба, М.Д. Смерджа (Сер.: Современные проблемы науки конденсированных сред). М.: Наука, 1985. 615 с
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 393 с. (Optical Processes in Semiconductors. J.I. Pankove, Prentice-Hall, Inc. Englewood Clifts, New Jersey, 1971)
- Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967. 477 с. (Physics of III--V Compounds. By Prof. Dr. Otfried Madelung, John Wiley and Sons, Inc., New York--London--Sydney, 1964)
- Кладко В.П., Пляцко С.В. // ФТП. 1998. Т. 32. N 3. С. 261--263
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук