Поверхностно-барьерный диод на основе селенида цинка с пассивирующим слоем окиси цинка
Махний В.П.1, Мельник В.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю.Федьковича, Украина
Email: oe-dpt@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 28 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Предложен способ изготовления поверхностно-барьерного диода с перекрытием металла, который позволяет значительно уменьшить обратные токи и увеличить напряжение пробоя.
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с
- Махнiй В.П., Мельник В.В. // Промислова власнiсть. Офiцiйний бюлетень. 1995. N 5. Прiоритет вiд 20. 12. 1994
- Махний В.П., Мельник В.В. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 8. С. 1468--1472
- Makhniy V.P., Galchinetskiy L.P., Rizikov V.D. // SPIE. 1999. V. 904. P. 617--618
- Махний В.П. // ЖТФ. 1998. Т. 68. В. 9. С. 123--125
- Yamaguchi M., Yamamoto A., Roudo M. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 196--202
- Гагара Л.С. Исследование физических процессов в фоточувствительных ПДП-структурах на основе ZnSe. Дис. ... канд. физ-мат. наук. Кишинев, 1986. 215 с
- Махний В.П., Баранюк В.Е. Авт. св. СССР N 1835986. Пр. от 04.06.1991 г
- Махнiй В.П., Мельник В.В. Декларацiйний патент Украiни N 2002119482, прiоритет вiд 28.11.2002
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
