Представлены результаты исследования влияния гамма-излучения Co⁶⁰ на транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ) на основе гетероструктуры AlGaN/GaN. Анализируются дозовые зависимости суммарного сопротивления контактов истока и стока транзистора, которые получены с использованием графоаналитического метода расчета характеристических сопротивлений ВПЭ-транзистора. Обнаружено, что контакты испытывают существенную деградацию при воздействии излучения, что оказывает пагубное влияние на работоспособность транзистора и может обусловливать наблюдаемое ухудшение параметров транзистора (тока насыщения, крутизны).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.