Влияние облучения электронами на диэлектрические свойства сегнетоэлектрических пленок BSTO
Балакин В.А.1, Дедык А.И.1, Карманенко С.Ф.1, Павловская М.В.1
1С.-Петербургский государственный электротехнический университет
Email: maryVP@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
Представлены экспериментальные результаты исследования влияния облучения потоком электронов с энергией 200 eV на емкость, тангенс угла диэлектрических потерь и управляемость планарных конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок (Ba,Sr)TiO3 (BSTO). Впервые для пленочных образцов набюдался эффект существенного уменьшения уровня диэлектрических потерь при дозах облучения 1014 и 1015 cm-2, сопровождаемого незначительным снижением емкости. Обсуждаются механизмы воздействия облучения и влияние дефектов на свойства пленок.
- Соловьев С.П., Кузьмин И.И., Закуркин В.В. // Титанат бария. М.: Наука, 1973. С. 263
- Закуркин В.В., Соловьев С.П., Кузьмин И.И. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971. Т. 35. С. 1148--1153
- Пешиков Е.В. // Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент: Изд. Фан, 1986. С. 126
- Ломасов В.Н. // Электронная техника. Сер. Радиодетали и радиокомпоненты. 1989. В. 4 (77). С. 13--17
- Карманенко С.Ф., Дедык А.И., Исаков Н.Н., Сахаров В.И., Семенов А.А., Серенков И.Т., Тер-Мартиросян Л.Т. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 19. С. 50--60
- Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / Под ред. О.Г. Вендика. М.: Сов. радио, 1979. С. 272
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук