Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2003, выпуск 20 » Статья стр. 33
<<<>>>
Многокомпонентные твердые растворы на основе InAs для термофотоэлектрических преобразователей
Хвостиков В.П.1,2, Лунин Л.С.1,2, Кузнецов В.В.1,2, Ратушный В.И.1,2, Олива Э.В.1,2, Хвостикова О.А.1,2, Шварц М.З.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск С.-Петербургский государственный электротехнический университет
Email: vlkhv@scell.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
PDF версия
С помощью метода жидкостной эпитаксии получены фотопреобразователи на основе твердых растворов InAsSpP и GaInAsSbP, которые являются перспективными для использования в термофотоэлектрических генераторах с пониженной температурой эмиттера (~ 1000oC).
  1. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Larionov V.R. et al. // Conference Record 26th IEEE PVSC. Anaheim, 1997. P. 935--939
  2. Hitchcock C.W., Gutmann R.J., Ehsani H. et al. // J. of Crystal Growth. 1998. V. 195. P. 363--372
  3. Mauk M.G., Shellenbarger Z.A., Cox J.A. et al. // J. of Crystal Growth. 2000. V. 211. P. 189--193
  4. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Моисеев К.Д., Розов А.Е. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 7. С. 781--788
  5. Чарыков Н.А., Литвак А.М., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1997. Т. 31. N 4. С. 410--415
  6. Mani H., Tournie E., Lazzari J.L. et al. // J. of Crystal Growth. 1992. V. 121. P. 463--472
  7. Fonash S.J. Solar Cell Device Physics. New York: Academic Press, 1981. P. 53
  8. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин В.С. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991. 175 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme