Моделирование ионного распыления кластеров меди с поверхности монокристалла графита
Корнич Г.В.1,2,3,4, Бетц Г.1,2,3,4, Запорожченко В.И.1,2,3,4, Бажин А.И.1,2,3,4
1Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина
2Inst. fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien,, Wien, Austria
3Technische Fakultat, Christian-Albrechts-Universitat, Kiel, Germany
4Донецкий национальный университет, Донецк, Украина
Email: gkornich@zntu.edu.ua
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
Выполнено молекулярно-динамическое моделирование распыления кластеров, состоящих из 13 и 75 атомов Cu, с поверхности графита (0 0 0 1) ионами Ar с энергией 200 eV. Обсуждаются угловые распределения распыленных атомов меди, их энергии и значения коэффициентов распыления.
- Haile J.M. Molecular Dynamics Simulation --- Elementary Methods. New York: Wiley-Interscience, 1992. 386 p
- Betz G., Husinsky W. // Nucl. Instr. and Meth. 1997. B122. P. 311--317
- Betz G., Kirchner R., Husinsky W., Rudenauer F., Urbassek H.M. // Rad. Eff. and Def. in Solids. 1994. V. 130--131. P. 251--266
- Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела: Пер. с англ. М.: Мир, 1995. 320 с
- Tersoff J. // Phys. Rev. 1989. V. 39. P. 5566--5568
- Dorfman S., Mundim K.C., Fuks D., Berner A., Ellis D.E., Van Humbeeck J. // Mat. Sci. and Eng. C. 2001. V. 15. P. 191--201
- Berendsen H.J., Postma J.P.M., Gunsteren W.F.V., Di-Nola A., Haak J.R. // J. Chem. Phys. 1984. V. 81. P. 3684--3690
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
