Влияние нейтронного облучения на микротвердость арсенида галлия
Джибути З.В.1, Долидзе Н.Д.1, Сихуашвили Н.1, Эристави Г.Л.1
1Тбилисский государственный университет им. Ив. Джавахишвили, Грузия
Email: nugo@geo.net.ge
Поступила в редакцию: 16 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
Исследуется влияние нейтронного облучения на микротвердость n-GaAs. Показано, что наблюдаемое ранее насыщение в процессе возрастания микротвердости, с увеличением дозы облучения, имеет место лишь в диапазоне - Phi~ 1015/ 5· 1016 n· cm-2. С повышением дозы облучения происходит дальнейшее возрастание микротвердости кристалла, связанное с увеличением роли созданных облучением разупорядоченных областей в n-GaAs.
- Кривов М.А., Потахова Г.И., Рыбкина Л.П. // Изв. вузов. Физика. 1966. В. 1. С. 190--191
- Доморяд И.А. // Действие радиоактивного излучения на вещества. Ташкент: ФАН, 1970. С. 27--29
- Сирота Н.Н., Курилович Н.Ф., Березина Г.М. // Докл. АН БССР. 1975. Т. XIX. N 10. С. 880--882
- Coates R., Mitchell E.W.J. // Advences in Physics. 1975. V. 24. N 5. P. 593--644
- Кладько В.П., Пляцко С.В. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 3. С. 261--263
- Глинчук К.Д., Прохорович А.В. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 5. С. 533--535
- Джибути З.В., Долидзе Н.Д., Цеквава Б.Е., Эристави Г.Л. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 13. С. 26--30
- Аблова М.С. // Методы испытания на микротвердость. Приборы. М.: Наука, 1965. С. 237--244.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
