Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2004, выпуск 19 » Статья стр. 17
<<<>>>
Особенности механизма протекания тока в омическом контакте к GaP
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Константинов О.В.1, Никитин В.Г.1, Поссе Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: tblank@delfa.net
Поступила в редакцию: 9 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
PDF версия
Изучалась зависимость сопротивления омического контакта In-GaP от температуры в интервале 77-420 K. Это сопротивление определялось на основании измерений сопротивления нескольких пластин GaP различной толщины с двумя In омическими контактами. Установлено, что сопротивление омического контакта возрастает с ростом температуры в интервале 230-240 K. Предполагалось, что омический контакт In-GaP образуется за счет появления металлических шунтов в результате осаждения атомов In на дислокациях и других несовершенствах в приповерхностной области полупроводника, плотность которых, по нашим расчетам, составляет (4.5-8)· 107 cm-2.
  1. Rhoderick E.H. // Metal-Semiconductor Contacts. Oxford, 1978
  2. Yu A.Y.C. // Sol-State Electron. 1970. V. 13. P. 239
  3. Katz A., Nakahara S., Savin W., Weir B.E. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68 (8). P. 4133
  4. Clausen T., Leistiko O. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62 (10). P. 1108
  5. Chu S.N.G., Katz A., Boone T., Thomas P.M., Riggs V.G., Dautremont-Smith W.C., Johnston W.D. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67 (8). P. 3754
  6. Ja-Soon Jang, Tae-Yeon Seong. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76 (19). P. 2743--2745
  7. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Калинина Е.В., Константинов О.В., Николаев А.Е., Фомин А.В., Черенков А.Е. // ФТП. 2001. Т. 35 (5). С. 550
  8. Hidenori Shimawaki, Naoki Furuhata, Kazuhiko Honjo // J. Appl. Phys. 1991. V. 69 (11). P. 7939
  9. Zhifang Fan, S. Noor Mohammad, Wook Kim, Ozgur Aktas, Andrei E. Botchkarev, Hadis Morko c. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68 (12). P. 1672--1674
  10. Guo J.D., Lin C.I., Feng M.S., Pan F.M., Chi G.C., Lee C.T. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. (68 (2). P. 235--237
  11. Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1979
  12. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2003. Т. 37 (9). С. 1025--1055
  13. Narayan J., Tiwari P., Chen X., Singh J., Chowdhury R., Zheleva T. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61 (11). P. 1290--1292
  14. Miller E.J., Schaadt D.M., Yu E.T., Sun X.L., Brillson L.J., Waltereit P., Speck J.S. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94 (12). P. 7611--7615
  15. Miller E.J., Yu E.T., Waltereit P., Speck J.S. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84 (4). P. 535--537
  16. Евстропов В.В., Джумаева М., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Ситникова А.А., Федоров Л.М. // ФТП. 2000. Т. 34 (11). С. 1357--1362

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme