Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2004, выпуск 22 » Статья стр. 70
<<<>>>
Формирование доноров в кремнии, имплантированном ионами водорода
Покотило Ю.М.1, Петух А.Н.1, Литвинов В.В.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: pokotilo@bsu.by
Поступила в редакцию: 4 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
PDF версия
Исследуются электрофизические свойства изготовленных на эпитаксиальном n-кремнии диодов Шоттки, облученных низкоэнергетическими (300 keV) ионами водорода. Показано, что имплантация протонов при комнатной температуре приводит к формированию мелких доноров, профиль распределения которых совпадает с распределением внедренного водорода. Эти доноры устойчивы до температуры 150oC и полностью отжигаются при температуре 250oC. При температурах выше 270oC идет формирование известных доноров, концентрация которых более чем в два раза превышает концентрацию первых доноров, а их отжиг происходит на стадиях 375-425 и 450-525oC. Природа как первых, так и вторых доноров связывается с формированием и трансформацией в поврежденной облучением области двумерных водородосодержащих дефектов.
  1. Ohmura Y., Zohta Y., Kanazawa M. // Phys. Stat. Sol. (a). 1973. V. 15. P. 93--98
  2. Pearton S.J., Corbett J.W., Stavola M. Hydrogen in Crystalline Semiconductors. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 1992. 363 с
  3. Мукашев Б.Н., Абдулин Х.А., Горелкинский Ю.В. // УФН. 2000. Т. 170. N 2. С. 143--155
  4. Mukashev B.N., Tamendarov M.F., Tokmoldin S.Zn. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1985. V. 91. P. 509--522
  5. Gorelkinskii Yu.V., Sigle V.O., Takibaev Zh.S. // Phys. Stat. Sol. (a). 1974. V. 22. P. 55--57
  6. Mukashev B.N., Nussupov K.N., Tamendarov M.F. // Phys. Stat. Sol. (b). 1979. V. 96. P. 17--19
  7. Biersack J.R., Haggmark L.G. // Nucl. Instr. Meth. 1980. V. 174. P. 257--264
  8. Козлов В.А., Козловский В.В. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 7. С. 769--795
  9. Комаров Ф.Ф., Комаров А.Ф. Физические процессы при ионной имплантации в твердые тела. Минск: УП. Технопринт, 2001. 393 с
  10. Kauppinen H., Corbel C., Skog K. et al. // Phys. Rev. B. 1997. V. 55. P. 9598--9608
  11. Nickel N.H., Anderson G.B., Jonson N.M. et al. // Physica B. 1999. V. 273--274. P. 212--215
  12. Tokmoldin S.Zn., Mukashev B.N., Abdullin Kh.A. et al. // Physica B. 1999. V. 273--274. P. 204--207

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme