Вышедшие номера
Идентификация параметров сегнетоэлектриков оптимизационным методом
Гузенко П.Ю.1,2, Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Фрадков А.Л.1,2, Спирин В.В.1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CICESE Research Center, P.O.Box San Diego, USA
Поступила в редакцию: 14 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Предлагается метод определения физических параметров сегнетоэлектрических кристаллов по эволюции тока переключения. Приводятся алгоритмы раздельной и совместной идентификации таких параметров, как межфазное поверхностное натяжение sigma и кинетический коэффициент beta0.