Вышедшие номера
Фотолюминесцентные исследования гетеропереходов II типа GaAsP/GaInAsP
Винокуров Д.А.1, Зорина С.А.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Николаев Д.Н.1, Станкевич А.Л.1, Трукан М.К.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dmitry.vinokurov@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе твердых растворов GaInP/GaAsP/GaInAsP, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что твердые растворы GaAs0.77P0.23 и Ga0.74In0.26As0.53P0.47 образуют между собой гетеропереход II типа. Установлено, что величина разрыва в зоне проводимости на гетерогранице твердых растворов GaAs0.77P0.23 и Ga0.74In0.26As0.53P0.47 составляет 90 meV, поэтому использование четверного твердого раствора в качестве активной области лазерной гетероструктуры (lambda=780 nm) предпочтительнее.