Рассмотрены технологические аспекты формирования фотоприемных структур ультрафиолетового диапазона на основе диодов Шоттки Au-пористый карбид кремния (ПКК). Методами атомно-силовой микроскопии и сфокусированного ионного зонда в режимах микропрофилирования и формирования контраста показано, что использованные технологические операции позволяют получать слои ПКК толщиной 230/250 nm с развитой поверхностью и средним размером шероховатости 60/ 80 nm. Сопоставительный анализ фотоэлектрических свойств структур Au-SiC (6H) и Au-ПКК показал, что последние обладают более высокой фоточувствительностью и несколько отличающейся от обычной спектральной характеристикой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.