Формирование массивов GaAs нитевидных нанокристаллов методом магнетронного осаждения
Сошников И.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН"
Поступила в редакцию: 16 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
Продемонстрирована возможность получения массивов нитевидных нанокристаллов конического вида с плотностью до 109 cm-2 и характерными размерами в высоту от 300 до 10 000 nm и в поперечнике около 200 nm у основания и от 200 до 10 nm и менее у вершины. Характерная высота ННК изменяется пропорционально эффективной толщине осаждаемого материала и обратно пропорционально поперечному размеру вершины. На основе анализа полученных зависимостей размеров делается вывод о диффузионном механизме формирования ННК, предложенный Дубровским и Сибиревым.
- Hiruma K., Yazawa M., Haraguchi K., Ogawa K., Katsuyama T., Koguchi M., Kakibayashi H. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. N 5. P. 3162--3171
- Ohlsson B.J., Bjork M.T., Magnusson M.H., Deppert K., Samuelson L., Wallenberg L.R. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N 20. P. 3335--3337
- Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. N 10. С. 1256--1260
- Сошников И.П., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 18. С. 28--35
- Сошников И.П., Цырлин Г.Е., Тонких А.А., Самсоненко Ю.Б., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Горбенко О.М., Litvinov D., Gerthsen D. // ФТТ. 2005 (в печати)
- Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Tonkikh A.A., Samsonenko Yu.B., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2005. (in print)
- Гиваргизов Е.И. // Кристаллография. 1975. Т. 20. N 4. С. 812--825
- Поляков С.М., Лаверко Е.Н., Марахонов В.М. // Кристаллография. 1970. Т. 15. N 3. С. 598--600
- Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. N 7. P. 89--91
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. // Phys. Rev. E. 2004. V. 70. P. 031604
- Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М. // ФТП. 2005. Т. 39. N 5. С. 587--594
- Ионно-плазменные технологии в электронном производстве / В.Т. Барченко, Ю.А. Быстров, Е.А. Колгин. СПб.: Энергоатомиздат, СПб. отд-е, 2001. 332 с
- Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Под ред. Е.С. Машковой. М.: Мир, 1989. 389 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук