Прямое измерение коэрцитивности и обменного смещения полей перемагничивания электропроводящих магнитных пленок наноразмерной толщины с использованием анизотропного магниторезистивного эффекта
Медведь А.В., Крышталь Р.Г., Крикунов А.И., Касаткин С.И.
Email: serkasat@ipu.rssi.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
Использован эффект анизотропного магнетосопротивления для прямого измерения коэрцитивной силы и обменного смещения поля перемагничивания в электропроводящих ферромагнитных пленках наноразмерной толщины и слоистых структурах, содержащих такие пленки и применяемые при изготовлении спин-туннельных переходов с гигантским магнетосопротивлением. В качестве примера выполнены измерения в пленках пермаллоя (Py) толщиной 25 nm, изготовленных магнетронным методом на подложке из окисленного кремния и в многослойных структурах FeMn(15 nm)-Py(10 nm)-SiC(1.5 nm)-Py(10 nm) на ситалловой подложке. Получено удовлетворительное согласие с результатами измерений, выполненных индукционным методом.
- Борисов В.И., Крикунов А.И., Чмиль А.И. и др. // РЭ. 2004. Т. 49. N 1. С. 84--90
- Dexin Wang, Cathy Nordman, James M. Daughton et al. // IEEE Trans. on Magnetics. 2004. V. 40. N 4. P. 2269--2271
- Tong Zhao, Kunliang Zhang, Hideo Fujiwara. // JAP. 2002. V. 91. N 10. P. 6890--6892
- Franco V., Ramos-Martos J., Conde A. // Rev. Sci. Instrum. 1996. V. 67. N 12. P. 4167--4170
- Муравьев А.М., Касаткин С.И., Попадинец Ф.Ф. // Заводская лаборатория. 2001. N 7. С. 23--26
- Miller B.H., Dan Dahlberg E. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69(25). P. 3932--3934
- Kai-Uwe Burholz, Roland Mattheis // IEEE Trans. on Magnetics. 2002. V. 38. N 5. P. 2767--2769
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук