Вышедшие номера
Исследование электрической проводимости поверхностной фазы Si(100)c(4-1ptx-1pt 12)-Al при напылении In и Al
Лавринайтис М.В.1, Грузнев Д.В.1, Цуканов Д.А.1, Рыжков С.В.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
Email: ryzhkov@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 15 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Методами дифракции медленных электронов, сканирующей туннельной микроскопии, четырехзондовым методом измерения электрической проводимости впервые изучена зависимость проводимости поверхностной фазы Si(100) c(4-1ptx-1pt 12)-Al от морфологии поверхности. Показано, что образование островков адсорбата (индия и алюминия), которые действуют как центры рассеяния носителей заряда, уменьшает электрическую проводимость образцов.