Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Генерация на переходе 3F4-3H6 иона Tm3+ при прямом возбуждении состояния 3F4 излучением газового лазера с ядерной накачкой
1Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия 
Email: E.P.Magda@vniitf.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
Приведены результаты исследования возможноcти получения генерации в кристалле Tm3+:YAP при прямой накачке уровня 3F4 иона Tm3+ узкополосным излучением газового лазера, работающего в средней ИК-области спектра. Эффективность преобразования излучения накачки в спонтанное излучение на переходе 3F4-3H6 иона Tm3+ составила ~ 65-75%. Эффективность генерации лазерного излучения (ЛИ) по поглощенной энергии накачки составила ~ 4%. PACS: 42.55.-f
- Антипенко В.М., Воронин С.П., Мак А.А. и др. // Опт. и спектр. 1986. Т. 60. С. 95--97
- Kintz G.J., Allen R., Estarowitz L. // Postdeadline Paper. Conf. Lasers Electro-Opt. Washington, DC, Opt. Soc. Amer., 1987. Paper ThU4
- Stoneman R.C., Esterowitz L. // Opt. Lett. 1990. V. 15. N 9. P. 486--488
- Huber G., Duzrynsri E.W., Peterman Klaus. // IEEE J. of Quant. Electr. 1988. V. 24. N 6. P. 920--923
- Magda E.P. // Laser and Particle Beams. V. 11. N 3. P. 496--476
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
