Вышедшие номера
Генерация на переходе 3F4-3H6 иона Tm3+ при прямом возбуждении состояния 3F4 излучением газового лазера с ядерной накачкой
Бочков А.В.1, Загидулин А.В.1, Магда Э.П.1, Мироненко В.В.1, Софиенко Г.С.1, Подымако А.С.1
1Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия
Email: E.P.Magda@vniitf.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Приведены результаты исследования возможноcти получения генерации в кристалле Tm3+:YAP при прямой накачке уровня 3F4 иона Tm3+ узкополосным излучением газового лазера, работающего в средней ИК-области спектра. Эффективность преобразования излучения накачки в спонтанное излучение на переходе 3F4-3H6 иона Tm3+ составила ~ 65-75%. Эффективность генерации лазерного излучения (ЛИ) по поглощенной энергии накачки составила ~ 4%. PACS: 42.55.-f