Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2006, выпуск 22 » Статья стр. 6
<<<>>>
Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией
Алексеев А.Н.1, Александров С.Б.1, Бырназ А.Э.1, Великовский Л.Э.1, Великовский И.Э.1, Веретёха А.В.1, Красовицкий Д.М.1, Павленко М.В.1, Петров С.И.1, Погорельский М.Ю.1, Погорельский Ю.В.1, Соколов И.А.1, Соколов М.А.1, Степанов М.В.1, Ткаченко А.Г.1, Шкурко А.П.1, Чалый В.П.1
1Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
Email: support@semiteq.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
PDF версия
Одним из основных применений структур на основе нитридов металлов третьей группы является изготовление мощных полевых СВЧ-транзисторов. В большинстве работ по этой теме упоминается классическая структура GaN/AlGaN с одним гетеропереходом. Альтернативный подход, основанный на использовании гетероструктур с двойным электронным ограничением, обладает рядом преимуществ, однако обычно в таких структурах наблюдается уменьшение подвижности и концентрации при уменьшении толщины слоя GaN по сравнению со структурами с одним гетеропереходом. Оптимизация конструкции структуры и условий роста позволила получить в многослойной гетероструктуре AlN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовой ямой подвижность 1100-1300 cm2/(V·s) при слоевой концентрации электронов (1.1-1.3)· 1013 cm-2. Тестовые полевые транзисторы, изготовленные из таких многослойных гетероструктур, демонстрируют в статическом режиме рабочие токи до 0.6 A/mm при внешней крутизне до 150 mS/mm и пробойные напряжения свыше 100 V. PACS: 81.15.Hi, 81.07.St
  1. Gaska R., Shur M.S., Bykhovski A.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 287--289
  2. Wu Y.F. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2004. V. 25. P. 117--119
  3. Kikkawa T., Mitani E., K. Joshin K. et al. // An Over 100 W CW Output Power Amplifier Using AlGaN/GaN HEMTs. GaAs MANTECH. New Orleans, 2004. (http://www.gaasmantech.org/Digests/2004/2004Papers/6.1.pdf)
  4. Su Y.K., Chang S.J., Kuan T.M. et el. // Materials Science and Engineering B. 2004. V. 110 P. 172--176
  5. Tang H., Webb J.B., Bardwell J.A. et al. // Solid-State Electronics. 2000. V. 44. P. 2177--2182
  6. Vertiatchikh A.V., Eastman L.F., Schaff W.J. et al. // Elec. Lett. 2002. V. 38. P. 388
  7. Simin G., Hu X., Tarakji A. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. P. L1142-L1144
  8. Chen C.Q., Zhang J.P., Adivarahan V. et al. // Appl. Phys. Let. 2003. V. 82. P. 4593--4595
  9. Cordier Y., Semond F., Hugues M. et al. // J. Crystal Growth. 2005. V. 278. P. 393--396
  10. Алексеев А.Н., Александров С.Б., Бырназ А.Э. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. С. 19--27
  11. Aleksandrov S.B., Baranov D.A., Chaly V.P. et al. // Phys. Stat. Sol. (c). 2005. V. 2. P. 2688--2691
  12. Kim C., Robinson I.K., Myoung J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. P. 2358--2360

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme