Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пространственная динамика эффектов тепловой перегрузки кремниевых диодов и динисторов
Горбатюк А.В.1, Панайотти И.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: agor.pulse@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
Предложена модифицированная модель инжекционных и тепловых процессов для описания пространственной динамики эффектов импульсной токовой перегрузки сверхмощных кремниевых переключателей. В численном анализе демонстрируется необычный эффект динамического истощения концентраций плазмы в узком слое инжекционного канала с аномально высоким электрическим полем и тепловыделением. Он обнаруживается при увеличении плотности тока выше единиц kA/cm2 и ассоциируется с появлением температурных градиентов ~ 5· 104 K/cm. Момент реализации абсолютного минимума концентрации совпадает с появлением резкого пика на переходной характеристике напряжения, являющегося наблюдаемым предвестником необратимого теплового пробоя. PACS: 44.10.+i, 85.30.-z
- Грехов И.В., Козлов А.К., Коротков С.В. и др. // ПТЭ. 2003. Т 1. С. 53
- В специальном выпуске IEEE. Tr. Plasma Science. 2000. V. 28. N 5. Auth.: Savage M.E. P. 1451--1455; Schneider S., Podlesak T.F. P. 1520--1523
- Горбатюк А.В., Грехов И.В., Коротков С.В. и др. // Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8. В. 11. С. 685--688; ЖТФ. 1982. Т. 52. В. 7. С. 1369--1374
- Gorbatyuk A.V., Grekhov I.V., Nalivkin A.V. // Solid-St. Electronics. 1988. V. 31. N 10. P. 1483--1491
- Wachutka G.K. // IEEE Tr. Computer-Aided Design. 1990. V. 9. N 11. P. 1141--1149
- Добровольский В.Н., Павлюк С.П. // ФТП. 1981. Т. 15. В. 1. С. 120--129
- Грехов И.В., Отблеск А.Е. // ЖТФ. 1984. Т. 54. В. 9. С. 1787--1792
- Горбатюк А.В., Панайотти И.Е. // ЖТФ. 1990. Т. 60. В. 5. С. 129--135; ЖТФ. 1991. Т. 61. В. 6. С. 83--92
- Mnatsakanov T.T., Rostovtsev I.L., Filatov N.I. // Solid-St. Electronics. 1987. V. 30. N 6. P. 579--586
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 414 с
- Canali C., Majni G., Minder M., Ottaviani G. // IEEE Tr. El. Dev. 1975. V. ED-22. P. 1045--1047.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
