Предложена теория неустойчивости инжекции в мощных биполярных полупроводниковых переключателях при плотностях тока J~ 1 kA/cm² и поле коллектора E>5· 10⁴ V/cm. Установлено, что, если эффективность катодного источника инжекции растет с увеличением J и E, в них возможно развитие флуктуаций распределения тока по площади с длинами волн порядка lambda~ 100 mum, не связанными с поперечным размером пластины. Соответствующие объемные флуктуации концентраций носителей, потенциалов, поля и плотности тока локализуются в толще на глубине, существенно меньшей толщины пластины. Эта скрытая от наблюдения неустойчивость не связана со знаком внешнего дифференциального сопротивления, и для ее предотвращения необходимы внутренние демпфирующие факторы. PACS: 72.20.-i, 85.30.-z, 85.30.Rs, 0.5.45.-a

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.