Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 16 » Статья стр. 34
<<<>>>
Получение высоких уровней легирования Mn в алмазоподобном полупроводнике ZnGeP2 методом диффузии в твердой фазе
Голощапов С.И.1, Никитин С.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: stanislav.goloshchapov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
PDF версия
Методом реактивной диффузии в твердой фазе получены высокие уровни легирования марганцем кристаллов халькопирита ZnGeP2. Измерения сигнала ЭПР показали, что концентрация Mn2+ составляет 1017-1018 cm-3. PACS: 81.05.Hd, 82.56.Lz
  1. Сюше Ж.П. Физическая химия полупроводников. М.: Металлургия, 1969
  2. Furdina J.K. // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. P. R29
  3. Ohno H. // J. Electron. Lett. 1994. V. 30. P. 1954
  4. Medvedkin G., Takayuki Ishibashi, Takao Nishi, Koji Hayata, Yoshi Hasegava, Katsuaki Sato // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. L. 949--951
  5. Sato K., Katayama-Yoshida H. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. 5555
  6. Самсонов Г.В., Верейкина Л.Л. Фосфиды. Киев: Изд. АН. УССР, 1961
  7. Борщевский А.С., Шанцовой Т.М. // Неорганические материалы. 1975. Т. 11. N 12. С. 2158--2161
  8. Buehler E., Vernick J.H.J. // J. Cryst. Growth. 1971. V. 4. P. 324

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme