Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в пленках Si : Ag
1Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан 
Email: gulamnabi@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
Приводится технология получения, исследования фотоэлектретного состояния в пленках Si, легированных Ag, в которых фотонапряжение генерируется за счет дембер-эффекта. PACS: 81.05.-t
- Ковальский П.Н., Шнейдер А.Д. Фотоэлектретный эффект в полупроводниках. Львов: Выша школа, 1977. 152 с
- Адирович Э.И. // ФТП. 1970. Т. 4. В. 4. С. 745--753
- Набиев Г.А. // Научно-технический журнал ФерПИ. 2004. N 3. С. 11--15
- Адирович Э.И. и др. // Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника. Ташкент: Фан, 1972. С. 143--229
- Набиев Г.А. Спектры фотовольтаического эффекта в полупроводниковых пленках / Деп. в ВИНИТИ 14.06.88, N 4677-B88. 22 c
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
