Исследование методом сканирующей туннельной микроскопии роста наноостровков Cu на поверхности Si(100)-c(4x12)-Al
Олянич Д.А.1, Чубенко Д.Н.1, Грузнев Д.В.1, Зотов А.В.1, Саранин А.А.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
Email: olianich@mail.dvo.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.
С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) исследован островковый рост пленок Cu на поверхностной фазе Si(100)-c(4x12)-Al. Определены зависимости концентрации островков и их размеров от температуры подложки. Из анализа полученных данных на основе кинетической теории зародышеобразования найдены энергия активации диффузии, энергия связи димера Cu, а из построения Аррениуса критическая температура смены режима роста. Установлено ориентирующее влияние фазы c(4x12)-Al на кристаллическую структуру наноостровков Cu. PACS: 61.46.Df, 68.37.Ef
- Eberhardt W. // Surf. Sci. 2002. V. 500. P. 242--270
- Shimizu N., Kitada H., Ueda O. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51 (8). P. 5550--5553
- Itou S., Kubo O., Yamaoka N., Katayama M., Saranin A.A., Zotov A.V., Oura K. // Japan. J. Appl. Phys. 2003. V. 42 (4B). P. L432--L434
- Gruznev D.V., Olyanich D.A., Avilov V.A., Saranin A.A., Zotov A.V. // Surf. Sci. 2006. V. 600. P. 4986--4991
- Ikeda T., Kawashima Y., Itoh H., Ichinokawa T. // Surf. Sci. 1995. V. 336. P. 76--84
- Ide T., Nishimori T., Ichinokawa T. // Surf. Sci. 1989. V. 209(3). P. 335--344
- Venables J.A., Spiller G.D.T., Hanbcken M. // Rep. Prog. Phys. 1984. V. 47. P. 399--459
- Оура K., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М.: Наука, 2006. 490 с
- Muller B., Nedelmann L., Fisсher B., Brune H., Kern K. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 17858
- Itou S., Nishida A., Murata Y., Kubo O., Okado H., Katayama M., Oura K. // Surf. Sci. 2004. V. 565 (2/3). P. 121--128
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук