Вышедшие номера
Исследование методом сканирующей туннельной микроскопии роста наноостровков Cu на поверхности Si(100)-c(4x12)-Al
Олянич Д.А.1, Чубенко Д.Н.1, Грузнев Д.В.1, Зотов А.В.1, Саранин А.А.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
Email: olianich@mail.dvo.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) исследован островковый рост пленок Cu на поверхностной фазе Si(100)-c(4x12)-Al. Определены зависимости концентрации островков и их размеров от температуры подложки. Из анализа полученных данных на основе кинетической теории зародышеобразования найдены энергия активации диффузии, энергия связи димера Cu, а из построения Аррениуса критическая температура смены режима роста. Установлено ориентирующее влияние фазы c(4x12)-Al на кристаллическую структуру наноостровков Cu. PACS: 61.46.Df, 68.37.Ef