Интенсивность линий поглощения мод спин-волнового резонанса при наноразмерных толщинах слоя закрепления
Зюзин А.М.1, Сабаев С.Н.1, Радайкин В.В.1, Бакулин М.А.1
1Мордовский государственный университет, Саранск
Email: zyusin.am.@rambler.ru
Поступила в редакцию: 25 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.
Исследовано влияние толщины слоя закрепления на интенсивность линий мод спин-волнового резонанса в двухслойных монокристаллических пленках ферритов гранатов. Обнаружено, что в области наноразмерных толщин слоя закрепления, при одной из ориентаций внешнего магнитного поля относительно пленки, происходит периодическое изменение интенсивности линий. При значениях толщины, равной четверти длины спиновой волны в данном слое, происходит резкое (примерно в 3.5 раза) возрастание интенсивности линий. PACS: 76.50.+g, 75.70.-i
- Hoekstra B., Van Stapele R.P. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. С. 382
- Даньшин Н.К., Деллалов В.С., Линник А.И. и др. // ФТТ. 1999. Т. 41. С. 1452
- Зюзин А.М., Сабаев С.Н., Куляпин А.В. // ФТТ. 2002. 45. С. 2208
- Зюзин А.М., Сабаев С.Н., Бажанов А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 45. С. 33
- Кизель В.А. Отражение света. М.: Наука, 1973. 351 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук