Вышедшие номера
Формирование слоев несоответствия в икосаэдрических наночастицах
Дорогин Л.М.1, Колесникова А.Л.1, Романов А.Е.1
1Институт физики Тартуского университета, Тарту, Эстония
Email: koles@def.ipme.ru
Поступила в редакцию: 22 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Исследуется механизм релаксации внутренних напряжений в икосаэдрических пентагональных наночастицах (ПНЧ), связанный с образованием слоя с несоответствием по параметру кристаллической решетки. Определен оптимальный параметр несоответствия, для которого выигрыш в энергии в результате релаксации оказывается максимальным. Показано, что для различных ГЦК металлов пороговые радиусы икосаэдрических ПНЧ, выше которых образование слоя несоответствия становится энергетически выгодным, составляют величины ~10 nm. PACS: 61.46.Hk, 61.72.Lk, 61.50.Ah