Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 20 » Статья стр. 80
<<<>>>
Двухкомпонентное акцепторное легирование эпитаксиального фосфида галлия и его использование в приборах высокотемпературной электроники
Жиляев Ю.В.1, Панютин Е.А.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Eugeny.Panyutin@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 29 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.
PDF версия
Представлены результаты экспериментальных исследований обратной ветви ВАХ для ряда высокотемпературных двухэлектродных приборов - выпрямительного диода, стабилитрона и эмиттера горячих электронов, технологические сценарии которых объединяет наличие бинарного цинк-магнитного легирования. Проанализированы причины, приводящие к возникновению различных типов лавинного пробоя в зависимости от соотношения цинкового и магнитного компонента. Различия в свойствах и поведении ВАХ связываются с различным характером и спецификой внутренней диффузии акцептора, всегда сопутствующей процессу легирования в ходе роста многослойных эпитаксиальных p-n-структур. PACS: 85.40.Ry, 85.30.Kk
  1. Zipperian T.E., Thomas E., Dawson L.R. // IEEE Tr. El. Devices. 1982. V. 29. N 10. P. 1690
  2. Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Панютин Е.А. и др. Всесоюзная конференция "Создание комплексов преобразовательной техники", Москва, 25--27 ноября 1986 г. М., 1986. С. 69--70
  3. Zipperian T.E., Dawson L.R., Chaffin R.J. In: Proc. IEEE Conf. On High-Temperature Electronics (Tusson, 1981). New York, 1981. P. 59--61
  4. Жиляев Ю.В., Панютин Е.А., Федоров Л.М. // Письма в ЖТФ. 1994. В. 20. С. 26
  5. Zhilyaev Yu.V., Panyutin E.A., Fedorov L.M. 23 Int. Symp. of Comp. Semic., SPb, Sept 23--27. 1996
  6. Zhilyaev Yu.V., Fedorov L.M., Panyutin E.A. // "MRS meeting-99", Nov. 29--Dec. 3, Boston. P. 413
  7. Keune D.L., Grefield M.G. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. N 8. P. 3417--3421
  8. Тухас В.А., Хромой Ю.Д., Панютин Е.В., Жиляев Ю.В. и др. 3-я Всесоюзная конференция по физике газового разряда. Махачкала, сентябрь 1987
  9. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М., 1965. 448 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme