Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 22 » Статья стр. 88
<<<
Электронно-микроскопическое исследование структуры SiC/Si(111), полученной методом твердофазной эпитаксии
Сорокин Л.М.1,2, Веселов Н.В.1,2, Щеглов М.П.1,2, Калмыков А.Е.1,2, Ситникова А.А.1,2, Феоктистов Н.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Кукушкин С.А.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lev.sorokin@mail.ioffe.re
Поступила в редакцию: 8 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.
PDF версия
Представлены первые результаты электронно-микроскопического исследования тонких слоев карбида кремния, выращенных на кремнии новым методом твердофазной эпитаксии. Показано, что на начальном этапе роста эпитаксиальных слоев формируется переходная область, состоящая из участков различных политипов SiC. Эта область находится на границе раздела: подложка-монокристаллический слой карбида кремния преимущественно со структурой 3C-политипа. Установлено, что в приповерхностном слое подложки кремния формируются поры с интервалом размеров от долей микрона до десятков нанометров, которые способствуют росту эпитаксиальных монокристаллических слабо напряженных слоев карбида кремния. PACS: 61.05.-a, 68.37.-d, 68.37.Lp
  1. Kordina O. et al. // J. Cryst. Growth. 1995. V. 154. P. 303
  2. Wakahara A. et al. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 236. P. 21
  3. Morales F.M. et al. // Strain relaxion and void reduction in SiC on Si by Ge predeposition. Inst. Phys. Conf. Proceedings on the royal microscopical society conference. Oxford University, 11--14 April 2003
  4. Zekentes K. et al. // J. Cryst. Growth. 1995. V. 157. P. 392
  5. Morales F.M. et al. // Beta to alpha transiton ans defects of SiC on Si grown by CVD. Inst. Phys. Conf. Proceedings on the royal microscopical society conference. Oxford University, 11--14 April 2003
  6. Stackl A.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. P. 3347
  7. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности. Заявка на патент РФ N 2008102398, приоритет 22.01.2008
  8. Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188--1195.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme