Разработка Si(Li) детекторов ядерного излучения методом импульсного электрического поля
Муминов Р.А.1, Раджапов С.А.1, Саймбетов А.К.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: detector@uzsci.net
Поступила в редакцию: 2 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
Рассматривается изготовление Si(Li) детектора методом дрейфа ионов лития в режиме импульсного электрического поля. Определены его оптимальные режимы параметров: амплитуды, длительности и периоды импульса. Результаты показали, что проведение процесса дрейфа в импульсном режиме электрического поля позволяет в 2-4 раза сократить время компенсации объема полупроводника и значительно повысить его эффективность. PACS: 78.40.Fy, 29.40.-n
- Азимов С.А., Муминов Р.А., Шамирзаев С.Х., Яфаcов А.Я. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения. Ташкент: Фан, 1981. С. 257
- Раджапов С.А. // Уз. физ. журн. 2007. Т. 9. N 3. С. 190--194
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. С. 153
- Муминов Р.А. и др. // Атомная энергия. 2005. Т. 98. N 1. С. 76--78
- Акимов Ю.К., Калинин А.И., Кушнирук В.Ф., Юнгклауссен Х. Полупроводниковые детекторы ядерных частиц и их применение. М.: Атомиздат, 1967. С. 42
- Муминов Р.А., Байзаков Б.Б., Пиндюрин Ю.С., Раджапов С.А. // Межд. конф. "Фундаментальные и прикладные вопросы физики". Ташкент, 26-27 октября 2006 г. С. 261
- Muminov R.A., Radjapov S.A., Saymbetov A.K., Tursunkulov O.M., Pindurin Yu.S. // Fifth International Conference "Magnetic and Superconducting materials". Uzbekstan, Khiva, 25--30th September 2007. P. 58
- Муминов Р.А. и др. Способ изготовления Si(Li) p-i-n-структур. Патент. (Принято патентным ведомством РУз, N IAP 20060489)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.