Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела с участием органических диэлектриков
1Московский инженерно-физический институт (Национальный исследовательский ядерный университет), Москва
2Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
2Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
Email: vladronik@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
Предложена физическая модель электропроводности металлического типа вдоль границы раздела полупроводников и диэлектриков с маталлами или другими органическими материалами. Причиной является образование на границе раздела геминальных пар с достаточно высокой поверхностной плотностью. Определены условия, при которых для значительной части носителей заряда переходы между молекулами не требуют термической активации и туннелирования. Численным моделированием получена оценка величин электропроводности и подвижности носителей заряда. PACS: 73.40.-c, 73.61.Ph, 73.61.Ng
- Friend R.H., Gymer R.W., Holmes A.B. et al. // Nature. 1999. V. 397. P. 121
- Shimotani H., Diguet G., Iwasa Y. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 022104
- Fratini S., Xie H., Hulea I.N. et al. // New J. Phys. 2008. V. 10. P. 033031
- Alves H., Molinari A.S., Xie H., Morpurgo A.F. // Nature Mater. 2008. V. 7. P. 574--580
- Иванов В.Ф., Грибкова О.Л., Ванников А.В. // Электрохимия. 2006. Т. 42. С. 304--309
- Lindell L., Unge M., Osikowich W. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 163302
- Shein L.B., LaHa M., Novotny D. // Phys. Lett. A. 1992. V. 167. P. 79--83
- Arkhipov V.I., Emelianova E.V., Heremans P., Bassler H. // Phys. rev. B. 2005. V. 72. P. 235202
- Nikitenko V.R., Tameev A.R., Vannikov A.V., Lachinov A.N., Bassler H. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 153307
- Bassler H. // Phys. Status Solidi. B. 1993. V. 75. P. 15
- Novikov S.V., Malliaras G.G. // Nonlinear Optics. Quantum Optics. 2007. V. 37. P. 239--247
- Шкловский Б.И., Эфрос А.М. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 1. ( Mott N.F., Davis E.A. Electron Processes in Non-Crystalline Materials. Oxford: Clarendon Press, 1979.)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
