Вышедшие номера
Особенности рекомбинационных процессов в светодиодах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционного тока
Аверкиев Н.С.1, Левинштейн М.Е.1, Петров П.В.1, Черняков А.Е.1, Шабунина Е.И.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Показано, что плотность низкочастотного шума светодиодов на основе InGaN/GaN зависит от плотности тока как j3 при плотностях тока больше 20 A/cm2. Такой вид зависимости свидетельствует об образовании новых центров безызлучательной рекомбинации, и этот процесс может быть причиной падения внешней квантовой эффективности при больших плотностях тока. PACS: 85.60.Jb, 81.05.Ea, 81.07.St, 71.55.-i, 72.20.Jv