Особенности рекомбинационных процессов в светодиодах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционного тока
Аверкиев Н.С.1, Левинштейн М.Е.1, Петров П.В.1, Черняков А.Е.1, Шабунина Е.И.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Показано, что плотность низкочастотного шума светодиодов на основе InGaN/GaN зависит от плотности тока как j3 при плотностях тока больше 20 A/cm2. Такой вид зависимости свидетельствует об образовании новых центров безызлучательной рекомбинации, и этот процесс может быть причиной падения внешней квантовой эффективности при больших плотностях тока. PACS: 85.60.Jb, 81.05.Ea, 81.07.St, 71.55.-i, 72.20.Jv
- Sayer S., Rumyantsev S.L., Shur M.S., Pala N., Bilenko Yu., Zhang J.P., Hu X., Lunev A., Deng J., Gaska R. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 034504
- Chernyakov A.E., Sobolev M.M., Ratnikov V.V., Shmidt N.M., Yakimov E.B. // Superlattices and Microstructures. 2009. V. 45. P. 301
- Gardner N.G., Muller G.O., Shen Y.C., Watanabe S. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 243506
- Albrecht M., Schulz T., Weyher J., Lucznik B., Prystawko P. // Proceedings of the 8 International Workshop BIAMS. 2006. P. 28
- Shmidt N., Besyul'kin A., Dunaevsky M. et al. // J. Phys: Cond. Matter. 2002. V. 14. P. 13025
- Ankudinov A.V., Besyulkin A.I., Kolmakov A.G. et al. // Physica B. 2003. V. 340-342. P. 462
- Bychkhin S., Pogany D., Meneghesso G., Zanoni E. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 123714
- Жигальский Г.П. // УФН. 2003. Т. 173. В. 5. С. 465
- Shen Y.C., Muller G.O., Watanabe S., Gardner N.G., Krames M.R. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 141101
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.