Светоиндуцированная эдс в серебро-палладиевых резистивных пленках
Михеев Г.М.1, Зонов Р.Г.1, Александров В.А.1
1Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
Email: mikheev@udman.ru
Поступила в редакцию: 9 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.
Исследована генерация наносекундных электрических импульсов, возникающих в серебро-палладиевых резистивных пленках под действием излучения лазера с модуляцией добротности. Пленки были получены по технологии производства толстопленочных резисторов на диэлектрических подложках посредством вжигания заранее приготовленной резистивной пасты из палладия, оксида серебра, стекла и органической связки при температуре 880 K. Показано, что амплитуда регистрируемых импульсов с увеличением мощности падающего излучения возрастает линейно, зависит от угла падения и угла поворота пленки вокруг своей нормали по характерным законам; сигнал отсутствует при нормальном падении луча на пленку и меняет свой знак при смене знака угла падения. Длительность генерируемых электрических импульсов превышает длительность падающих лазерных импульсов в несколько раз. Сигнал не имеет термоэлектрической природы, а может быть связан с генерацией токов при поверхностном фотогальваническом эффекте и передачей носителям заряда квазиимпульса света при его поглощении материалом пленки.
- Von Gutfeld R.J. // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 23. P. 206--208
- Конов В.И., Никитин П.И., Сатюков Д.Г., Углов С.А. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1991. Т. 55. С. 1343--1347
- Chang C.L., Kleinhammers A., Moultan W.G., Testardi L.R. // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. P. 11 564--11 567
- Никитин В.А., Севенюк А.А., Сухов А.В. // Квантовая электроника. 1991. Т. 18. С. 1103--1105
- Снарский А.А., Пальти А.М., Ащеулов А.А. // ФТП. 1997. Т. 31. С. 1281--1297
- Берегулин Е.В., Валов П.М., Рывкин С.М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1977. Т. 25. С. 113--116
- Obraztsov A.N., Lyashenko D.A., Fang S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 23 112 (1--3)
- Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н., Свирко Ю.П. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 17. С. 88--94
- Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н., Свирко Ю.П. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 3. С. 11--17
- Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н. // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49. В. 9. С. 33--37
- Hatano T., Nishikawa B., Iwanaga M., Ishihara T. // Optics Express. 2008. V. 16. P. 8236--8241
- Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Александров В.А., Русских Л.М. // Патент РФ на изобретение N 2365027. Бюл. изобр. N 23 от 20.08.2009
- Смирнов В.И. Физико-химические основы технологии электронных средств. Ульяновск: УлГТУ, 2005. 12 с
- Михеев Г.М., Малеев Д.И., Могилева Т.Н. // Квантовая электроника. 1992. Т. 19. С. 45--47
- Морозов Б.Н., Айвазян Ю.М. // Квантовая электроника. 1980. Т. 7. N 1. С. 5--32
- Берегулин Е.В., Воронов П.М., Иванов С.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1994. Т. 59. С. 83--87
- Альперович В.Л., Белиничер В.И., Новиков В.Н., Терехов А.С. // ЖЭТФ. 1981. Т. 80. С. 2298--2312
- Gurevich V.L., Laiho R. // Phys. Solid State. 2000. V. 42. P. 1807--1812
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
