Вышедшие номера
Изучение дефектной структуры эпитаксиальных слоев GaN на основе анализа пиков трехволновой дифракции рентгеновских лучей
Кютт Р.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: r.kyutt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Проведены измерения многоволновой дифракции рентгеновских лучей в эпитаксиальных пленках GaN с разной плотностью дислокаций. Использовалась схема Реннингера с первичным запрещенным отражением 0001. Проанализирована угловая ширина трехволновых дифракционных пиков как в направлении varphi-сканирования (вращение вокруг нормали к поверхности), так и theta-моды сканирования (вращение около брэгговского угла). Обнаружено расщепление трехволновых пиков Реннингера, обусловленное крупноблочной структурой слоев. Показана высокая чувствительность полуширины пиков theta-моды для некоторых трехволновых комбинаций к плотности дислокаций.