Вышедшие номера
Температурная зависимость диэлектрических параметров тонких слоев As2Se3 с большим содержанием висмута
Кастро Р.А.1, Бордовский В.А.1, Грабко Г.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@fromru.com
Поступила в редакцию: 16 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Представлены результаты исследования температурно-частотных зависимостей диэлектрических параметров в модифицированных слоях триселенида мышьяка с добавкой висмута. В инфранизкочастотном диапазоне при повышении температуры обнаружены значительное увеличение вещественной составляющей комплексной диэлектрической проницаемости и появление максимумов диэлектрических потерь, смещающихся с увеличением частоты в сторону более высоких температур.