Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530-560 nm
Лундин В.В.1, Николаев А.Е.1, Сахаров А.В.1, Заварин Е.Е.1, Усов С.О.1, Сизов В.С.1, Закгейм А.Л.1, Черняков А.Е.1, Цацульников А.Ф.1
1Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.
Описан новый метод формирования активной области высокоэффективных InGaN/GaN/AlGaN светоизлучающих диодов длинноволнового зеленого диапазона. Показано, что введение в конструкцию эпитаксиальной гетероструктуры непосредственно под излучающей квантовой ямой короткопериодной InGaN/GaN сверхрешетки, зарощенной слоем нитрида галлия при пониженной температуре, позволяет более чем на порядок повысить эффективность излучения. На собранных диодах значения максимальной квантовой эффективности и соответствующей ей длины волны излучения составили 12% и 552 nm и 8% и 560 nm соответственно.
- Schubert F. Light-emitting diodes. Cambridge University Press, 2003
- Zukauskas A., Shur M., Gaska R. Introduction to Solid-State Lighting. J. Wiley \& Sons, NY, 2002
- Karpov S.Yu., Talalaev R.A., Yakovlev E.V., Makarov Yu.N. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2001. V. 639. G 3.18
- Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Николаев А.Е., Усов С.О., Сизов В.С., Михайловский Г.А., Черкашин Н.А., Hytch M., Hue F., Яковлев Е.В., Лобанова А.В., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 6. С. 841
- Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Лундин В.В., Давыдов Д.В., Сизов В.С., Цацульников А.Ф. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 21. С. 88
- Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Черкашин Н.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Мизеров М.Н., Hee Seok Park, Hytch M., Hue F. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 1. С. 96
- Крыжановская Н.В., Лундин В.В., Николаев А.Е., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Павлов М.М., Черкашин Н.А., Вальковский Г.А., Яговкина М.А., Усов С.О. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 6. С. 857
- Tao Y.B., Chen Z.Z., Zhang F.F., Jia C.Y., Qi S.L., Yu T.J., Kang X.N., Yang Z.J., You L.P., Yu D.P., Zhang G.Y. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 103529
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук