Вышедшие номера
Химическое действие пучка инертного аргона на нитридный нанослой, сформированный ионной имплантацией поверхности GaAs
Микушкин В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: V.Mikoushkin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Методом электронной оже-спектроскопии исследованы состав и химическое состояние азота нитридного нанослоя, полученного на поверхности GaAs (100) имплантацией ионов N+2 с энергией Ei=2.5 keV. Установлено, что помимо GaN в нитридном слое формируется химическая фаза твердого раствора GaAsN. Определены энергии оже-переходов NKVV в этих фазах, равные EA(GaN)=379.8± 0.2 eV и EA(GaAsN)=382.8± 0.2 eV относительно уровня Ферми, что позволило установить распределение азота в фазах: [N(GaN)]=70% и [N(GaAsN)]=30%. Обнаружено химическое действие пучка ионов аргона на нитридный слой, связанное с каскадным перемешиванием материала. Пучок аргона изменяет распределение азота в указанных фазах на противоположное. В результате формируется нанослой с доминированием фазы не широкозонного GaN, а узкозонного GaAsN полупроводника.