Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2010, выпуск 24 » Статья стр. 40
<<<>>>
Химическое действие пучка инертного аргона на нитридный нанослой, сформированный ионной имплантацией поверхности GaAs
Микушкин В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: V.Mikoushkin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
PDF версия
Методом электронной оже-спектроскопии исследованы состав и химическое состояние азота нитридного нанослоя, полученного на поверхности GaAs (100) имплантацией ионов N+2 с энергией Ei=2.5 keV. Установлено, что помимо GaN в нитридном слое формируется химическая фаза твердого раствора GaAsN. Определены энергии оже-переходов NKVV в этих фазах, равные EA(GaN)=379.8± 0.2 eV и EA(GaAsN)=382.8± 0.2 eV относительно уровня Ферми, что позволило установить распределение азота в фазах: [N(GaN)]=70% и [N(GaAsN)]=30%. Обнаружено химическое действие пучка ионов аргона на нитридный слой, связанное с каскадным перемешиванием материала. Пучок аргона изменяет распределение азота в указанных фазах на противоположное. В результате формируется нанослой с доминированием фазы не широкозонного GaN, а узкозонного GaAsN полупроводника.
  1. DeLouise L.A. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1992. V. 10. N 4. P. 1637
  2. Pan J.S., Huan C.H.A., Wee A. T. S. et al. // J. Mater. Research. 1998. V. 13. N 7. P. 1799
  3. Hecht J.-D., Frost F., Hirsch D. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. N 13. P. 6066
  4. Li Y.G., Wee A.T.S., Huan C.H.A. et al. // Appl. Surf. Science. 2001. V. 174. P. 175
  5. Meskinis S., Slapikas K., Puceta M. et al. // Vacuun. 2004. V. 77 (1). P. 79
  6. Majlinger Z., Bozanic A., Petravic M. et al. // Vacuum. 2009. V. 84. N 1. P. 41
  7. Kumar P., Kumar M., Mehta G. et al. // Applied Surface Science. 2009. V. 256. N 2. P. 517
  8. Mikoushkin V.M., Bryzgalov V.V., Gordeev Yu.S. et al. // Phys. Status Solidi. C. 2009. V. 6. N 12. P. 2655
  9. Гордеев Ю.С., Брызгалов В.B., Макаренко Б.Н. et al. // ЖТФ. 2003. V. 73. N 7. P. 88
  10. Микушкин В.М., Брызгалов В.В., Гордеев Ю.С. и др. // Известия Академии наук. Сер. Физ. 2008. Т. 72. N 5. С. 645
  11. Henini M. // Dilute Nitride Semiconductors. Amsterdam: Elsevier Ltd., 2005. 640 p
  12. Davis L.E. et al. // Handbook of Auger Electron Spectroscopy / 2nd ed. Physical Electronics Division. Minnesota: Perkin-Elmer Corp., 1976. 249 p
  13. Жуков А.Е., Семенова Е.С., Устинов В.М. и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71. С. 59
  14. Aksenov I., Iwai H., Nakada Y. et al. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. N 6. P. 3159

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme