Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2011, выпуск 13 » Статья стр. 83
<<<>>>
Исследование процесса обратного восстановления Si/Si1-xGex гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием
Грехов И.В.1, Белякова Е.И.1, Костина Л.С.1, Рожков А.В.1, Аргунова Т.С.1, Оганесян Г.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: konst@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.
PDF версия
Приведены результаты исследования процесса обратного восстановления Si/Si1-xGex гетеродиодов, сформированных прямым сращиванием пластин кремния n-типа проводимости ориентации (111) с пластинами Si1-xGex p-типа проводимости той же ориентации, с содержанием германия от 4 до 8 at. %. Показано, что с увеличением концентрации германия NGe в p-Si1-xGex слое время обратного восстановления гетеродиодов уменьшается. Наличие участка резкого спада обратного тока на характеристике восстановления может быть объяснено существованием вблизи границы сращивания узкой области с пониженным по отношению к объему временем жизни неосновных носителей заряда вследствие сосредоточения здесь дислокаций несоответствия, генерируемых при сращивании. Полученные результаты демонстрируют принципиальную возможность создания в системе Si-Si1-xGex быстро восстанавливающихся диодов для силовой полупроводниковой техники на основе технологии прямого сращивания.
  1. Li G., Liu Z.Q., Golland A., Wakeman F. // Proceedings of EPE'2005. P. 44--46
  2. Tong Q-Y., Gosele U. // Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology. J. Wiley\&Sons. Inc., 1999. 297 p
  3. Grekhov I.V., Argunova T.S., Kostina L.S. et al. // J. Electrochem. Soc. 1997. V. 144. N 2. P. 622--627
  4. Grekhov I.V., Kostina L.S., Argunova T.S. et al. // Proceedings of Europen Power Electronics. EPE'97, 1997, November 6--8, Trondheim, Norway. P. 2087--2092
  5. Abrosimov N., Ludge A., Riemann H., Schroder W. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 237--239. P. 356
  6. Hirose F., Souda Y., Nakano K. et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2001. V. 48. N 10. P. 2417--2420
  7. Argunova T.S., Jung J.W., Je J.H., Abrosimov N.V., Grekhov I.V., Kostina L.S., Rozhkov A.V., Sorokin L.M., Zabrodskii A.G. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. V. 42. N 8. P. 1--6
  8. Bean E.C. // Proc. IEEE. 1992. V. 80. P. 571
  9. Roberts V., Allsopp D.W.E. // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 1346--1353
  10. Hirose F., Souda Y., Nakano K. et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2001. V. 48. N 10. P. 2417--2420
  11. Грехов И.В., Белякова Е.И., Костина Л.С., Рожков А.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 23. С. 66--72

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme