Вышедшие номера
Исследование процесса обратного восстановления Si/Si1-xGex гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием
Грехов И.В.1, Белякова Е.И.1, Костина Л.С.1, Рожков А.В.1, Аргунова Т.С.1, Оганесян Г.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: konst@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Приведены результаты исследования процесса обратного восстановления Si/Si1-xGex гетеродиодов, сформированных прямым сращиванием пластин кремния n-типа проводимости ориентации (111) с пластинами Si1-xGex p-типа проводимости той же ориентации, с содержанием германия от 4 до 8 at. %. Показано, что с увеличением концентрации германия NGe в p-Si1-xGex слое время обратного восстановления гетеродиодов уменьшается. Наличие участка резкого спада обратного тока на характеристике восстановления может быть объяснено существованием вблизи границы сращивания узкой области с пониженным по отношению к объему временем жизни неосновных носителей заряда вследствие сосредоточения здесь дислокаций несоответствия, генерируемых при сращивании. Полученные результаты демонстрируют принципиальную возможность создания в системе Si-Si1-xGex быстро восстанавливающихся диодов для силовой полупроводниковой техники на основе технологии прямого сращивания.