Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2011, выпуск 15 » Статья стр. 1
>>>
Зависимость скорости поверхностной генерации на границе раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло от условий формирования области неравновесного обеднения
Парчинский П.Б.1, Насиров А.А.1, Лигай Л.Г.1, Алламбергенов М.М.1, Исмайлов К.А.1
1Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
Email: pavelphys@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.
PDF версия
Методом изотермической релаксации емкости МДП-структуры исследованы генерационные характеристики границы раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло. Обнаружено, что эффективная скорость поверхностной генерации зависит от амплитуды импульса инверсионного напряжения, выводящего структуру из состояния равновесия. Показано, что обнаруженная зависимость может быть обусловлена инжекцией носителей заряда через границу раздела кремний-стекло с их последующей локализацией на ловушечных центрах в приповерхностной области стекла.
  1. Shimbo M., Furukava K., Tanzava K., Fukada K. // Sol. St. Science and Technology. 1987. V. 134. N 1. P. 156--160
  2. Flowers P.L. // J. Elektrochev. Soc. 1981. V. 128. N 10. P. 2179--2183
  3. Shimbo M., Furukava K., Tanzava K., Higuchi T. // IEEE Transaction on Electron Devices. 1988. V. ED 35. N 1. P. 124--128
  4. Власов С.И., Овсянников А.В., Заверюхин Б.Н. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 7. С. 41--45
  5. Власов С.И., Адылов Т.П., Эргашева М. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 10. С. 83--87
  6. Власов С.И., Парчинский П.Б., Олматов Б.А. // Неорганические материалы. 2000. Т. 36. N 5. С. 608--610
  7. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с
  8. Kang J.S., Schroder D.K. // Phys. St. Sol. (A). 1985. V. 89. N 13. P. 13--44
  9. Zerbst M. // Z. Angew. Phys. 1966. V. 22. N 1. P. 30--33
  10. Гольдман Е.И., Ждан А.Г. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 428--437
  11. Гольдман Е.И. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 2. С. 269--276
  12. Меньшикова Т.Г., Бормонтов А.Е. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 9. С. 65--72
  13. Власов С.И., Парчинский П.Б., Тургунов У.Т. // Неорганические материалы. 2002. Т. 38. N 6. С. 750--754
  14. Власов С.И., Парчинский П.Б., Лигай Л.Г. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. N 2. С. 121--123
  15. Парчинский П.Б., Лигай Л.Г., Мансуров Х.Ж., Йулчиев Ш.Х. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 7. С. 40--44
  16. Зи C. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984. 456 с. (Пер. с англ. Sze S.M. Physics of Semiconductors Devices. New York: John Wiley \& Sons, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme