Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs
Гладышев А.Г.1, Кулагина М.М.1, Блохин С.А.1, Красивичев А.А.1, Карачинский Л.Я.1, Васильев А.П.1, Малеев Н.А.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий РАН
Email: glad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.
Разработана базовая технология формирования субмикронного поверхностного рельефа в эпитаксиальных структурах GaAs, основанная на электронно-лучевой литографии. Высокая чувствительность характеристик вертикально-излучающего лазера к уровню оптических потерь позволяет использовать данную технологию для контроля модового состава и стабилизации поляризации излучения.
- Pruijmboom A. et. al. // Proceedings SPIE. 2008. V. 6908--16
- Serkland D.K., Peake G.M., Geib K.M., Lutwak R., Garvey R.M., Varghese M., Mescher M. // Proc. of SPIE. 2006. V. 6132. P. 613208
- Jung C. et al. // Electron. Lett. 1993. V. 33. P. 1790
- Haglund A., Gustavsson J.S., Vukusic J., Modh P., Larsson A. // IEEE Photonics Technology Letters. 2004. V. 16. P. 368--370
- Debernardi P., Ostermann J.M., Feneberg M., Jalics C., Michalzik R. // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2005. V. 11. P. 107--116
- Schmidt A., Clifton A., Ehrfeld W., Feiertag G., Lehr H., Schmidt M. // Microelectronic Engineering. January 1996. V. 30. P. 215--218
- Klemberg-Sapieha J.E., Martinu L., Yamasaki N.L.S., Lantman C.W. // Plasma Deposition and Treatment of Polymers MRS Proceedings. 1998. V. 544.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук