Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 19 » Статья стр. 9
<<<>>>
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs
Ваганов С.А.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sv.exciton@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.
PDF версия
Экспериментально исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения тонких слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Экспериментально определены критическая температура Tc=135 K, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, соответствующие ей значения критического параметра затухания Gammac=0.248 meV и продольно-поперечного расщепления homegaLT=0.082 meV. Выделена температурная зависимость истинного диссипативного затухания.
  1. Ахмедиев Н.Н. // ЖЭТФ. 1980. Т. 79. В. 4 (10). С. 1534-1543
  2. Kosobukin V.A., Seisyan R.P., Vaganov S.A. // Semiconf. Sci. Techn. 1993. V. 8 (7). P. 1235-1238
  3. Алиев Г.Н., Кощуг О.С., Сейсян Р.П. // ФТТ. 1994. Т. 36. В. 2. С. 373-338
  4. Datsiev R.M., Kosobukin V.A., Luk'yanova N.V., Seisyan R.P., Vladimirova M.R. // Electrochemical Society Proceedings / Eds R.T. Williams, W.M. Yen. Boston, Massachusetts, 1998. V. 98-25. P. 228-233
  5. Ваганов С.А., Сейсян Р.Н. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 3. С. 39-45
  6. Горбань И.С., Крохмаль А.П., Янчук З.З. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 9. С. 1582-1589
  7. Алиев Г.Н., Лукьянова Н.В., Сейсян Р.П. // ФТТ. 1998. Т. 40. В. 5. С. 869-871
  8. Aliev G.N., Lukyanova N.V., Seisyan R.P., Vladimirova M.R., Hibbs H., Hitrova G. // Phys. Stat. Sol. A. 1997. V. 164. P. 93
  9. Сейсян Р.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М.: Наука, 1984. 163 с
  10. Ваганов С.А., Сейсян Р.П. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 1. С. 104-110
  11. Rudin S., Reinecke T.L., Segall B. // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 17. P. 11 218-11 231
  12. Pavesi L., Guzzi M. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 4779-4842
  13. Маркосов М.С., Сейсян Р.П. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 5. С. 656-661
  14. Сейсян Р.П., Кособукин В.А., Маркосов М.С. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 11. С. 1321-1330

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme