Вышедшие номера
Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3-5 mum, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Васильев В.И.1, Гагис Г.С.1, Лёвин Р.В.1, Пушный Б.В.1, Дерягин А.Г.1, Кучинский В.И.1, Мизеров М.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: galina.gagis@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Исследованы процессы эпитаксиального роста твердых растворов AluGa1-u-xInxAsySb1-y и AluCa1-uAsySb1-y. Получены эпитаксиальные слои с составами 0.02<u<0.11, 0.88<x<0.93, 0.88<y<0.98 на подложках InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при пониженном давлении (76 Torr) и отношении суммы парциальных давлений соединений с элементами пятой группы к таковой для соединений с элементами третьей группы V/III=3.6-6. При несоответствии параметра решетки 1· 10-3 величины полуширин кривых рентгеновского дифракционного отражения для лучших образцов составляли: для подложек 15 arcsec, для слоев - 66 arcsec.