Вышедшие номера
Магнитоуправляемый светодиод с S-образной вольт-амперной характеристикой
Кудрин А.В.1,2, Дорохин М.В.1,2, Данилов Ю.А.1,2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: kudrin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 4 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Светодиодная p-i-n-гетероструктура с квантовыми ямами InGaAs/GaAs была создана с помощью комбинированного метода газофазной эпитаксии и лазерного нанесения. При температуре 77 K в структуре наблюдались эффект отрицательного дифференциального сопротивления и магнитодиодный эффект. При приложении к структуре импульсного напряжения возможно переключение структуры из низкоомного в высокоомное состояние и гашение ее электролюминесценции внешним магнитным полем.