Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Магнитоуправляемый светодиод с S-образной вольт-амперной характеристикой
Кудрин А.В.1,2, Дорохин М.В.1,2, Данилов Ю.А.1,2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: kudrin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 4 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Светодиодная p-i-n-гетероструктура с квантовыми ямами InGaAs/GaAs была создана с помощью комбинированного метода газофазной эпитаксии и лазерного нанесения. При температуре 77 K в структуре наблюдались эффект отрицательного дифференциального сопротивления и магнитодиодный эффект. При приложении к структуре импульсного напряжения возможно переключение структуры из низкоомного в высокоомное состояние и гашение ее электролюминесценции внешним магнитным полем.
- Saha D., Basu D., Bhattacharya P. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 194 104(1--3)
- Appelbaum I., Russell K.J., Monsma D.J., Narayanamurti V., Marcus C.M., Hanson M.P., Gossard A.C. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 4571--4573
- Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 24. С. 57--65
- Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 14. С. 8--17
- Hess K., Higman T.K., Emanuel M.A., Coleman J.J. // J. Appl. Phys. 1986. V. 60. P. 3775--3777
- Алфёров Ж.И., Мезрин О.А., Синицын М.А., Трошков С.И., Явич Б.С. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 3. С. 494--499
- Егиазарян Г.А., Стафеев В.И. Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение. М., 1987
- Абрамов А.А., Горбатый И.Н. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 9. С. 1078--1081
- Кудрин А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 11. С. 46--53
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
