Вышедшие номера
Релаксация магнитосопротивления монокристаллического (La0.5Eu0.5)0.7 Pb0.3MnO3 после воздействия импульсного магнитного поля
Быков А.А.1, Попков С.И.1, Шайхутдинов К.А.1, Саблина К.А.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: alexey_bykov@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Проведены измерения магнитосопротивления замещенного манганита лантана (La0.5Eu0.5)0.7Pb0.3MnO3 в импульсном магнитном поле H=250 kOe в различных температурах. Обнаружено, что зависимость параметра релаксации магнитосопротивления tau(t) в различных температурах коррелирует с ходом температурной зависимости электросопротивления R(T). Предложен механизм релаксации, связанный с релаксацией проводящей и диэлектрической фаз в объеме образца в условиях фазового расслоения. Показано, что tau отражает количество границ фаз в объеме.