Влияние гетероструктуры In0.56Ga0.44P/Ge на диффузию фосфора в германии при формировании многокаскадного солнечного элемента
Кобелева С.П.1, Анфимов И.М.1, Юрчук С.Ю.1, Выговская Е.А.1, Жалнин Б.В.1
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва Научно-производственное предприятие "Квант", Москва
Email: kob@misis.ru
Поступила в редакцию: 7 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.
Изучали профили фосфора в германии, легированном галлием, полученные при формировании первого каскада трехкаскадного солнечного элемента на основе структур A3B5/Ge (Ga). Методом вторичной ионной масс-спектрометрии получены профили фосфора и галлия в германии после обработки в потоке фосфина и в структуре In0.01Ga0.99As/In0.56Ga0.44 P/Ge. Отмечено, что основное количество фосфора поступает из соединения In0.56Ga0.44P одновременно с диффузией галлия. Проведены расчеты диффузионных профилей фосфора в германии. Показано, что диффузия фосфора из буферного слоя In0.56 Ga0.44P, являющегося одновременно источником галлия, является координатно-зависимой и для ее описания необходимо привлечение математических моделей, учитывающих не только диффузионную, но и дрейфовую компоненту потока атомов фосфора.
- Kalyuzhnyy N.A., Gudovkikhb A.S., Evstropova V.V., Lantratova V.M., Mintairova S.A., Timoshinaa N.Kh., Shvartsa M.Z., Andreeva V.M. // Semiconductors. 2010. V. 44. P. 1520.
- Brotzmann S. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. P. 0335081
- Canneaux T., Matthiot D., Ponpon J.-P., Leroy Ya. // Thin Sol. Films. 2010. V. 518. P. 2394
- Колебева С.П., Кузьмин Д.А., Юрчук С.Ю., Мурашев В.Н., Анфимов И.М., Щемеров И.В., Жалнин Б.В. // Изв. вузов. МЭТ. 2011. N 2. С. 56
- Chui C.O., Kulig L., Mоran J., Tsai W. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 091909
- Малкович Р.Ш. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 2. С. 137
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук