Вышедшие номера
Проблемы измерения параметров элементов и структур современной микро- и наноэлектроники на примере диффузионно-барьерных структур TiN/Ti
Смирнов Д.И.1,2,3,4, Гиниятуллин Р.М.1,2,3,4, Зюльков И.Ю.1,2,3,4, Медетов Н.А.1,2,3,4, Герасименко Н.Н.1,2,3,4
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", Москва, Зеленоград
4Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: rmta@miee.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Представлены результаты комплексного исследования технологических параметров диффузионно-барьерных структур TiN/Ti, применяемых в современной микроэлектронной технологии. Для обеспечения достоверности результатов спектральной эллипсометрии, стандартного метода послеоперационного контроля таких структур на этапе тестирования технологического процесса предложен комплексный подход, заключающийся в совместной обработке данных просвечивающей электронной микроскопии и относительной рентгеновской рефлектометрии. Полученная информация использована при расчете дисперсии оптических коэффициентов спектральной эллипсометрии, зависящих от особенностей технологического процесса и необходимых для анализа параметров изготовленных диффузионно-барьерных структур.