Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Проблемы измерения параметров элементов и структур современной микро- и наноэлектроники на примере диффузионно-барьерных структур TiN/Ti
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия 
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", Москва, Зеленоград
4Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", Москва, Зеленоград
4Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: rmta@miee.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.
Представлены результаты комплексного исследования технологических параметров диффузионно-барьерных структур TiN/Ti, применяемых в современной микроэлектронной технологии. Для обеспечения достоверности результатов спектральной эллипсометрии, стандартного метода послеоперационного контроля таких структур на этапе тестирования технологического процесса предложен комплексный подход, заключающийся в совместной обработке данных просвечивающей электронной микроскопии и относительной рентгеновской рефлектометрии. Полученная информация использована при расчете дисперсии оптических коэффициентов спектральной эллипсометрии, зависящих от особенностей технологического процесса и необходимых для анализа параметров изготовленных диффузионно-барьерных структур.
- Wilson S.R., Tracy C.J., Freeman J.L., Jr. Handbook of Multilevel Metallization For IC. Noyes Publications, 1994. 887 p
- Doering R., Nishi Y. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology. Taylor\&Francis Group, 2008. 1722 p
- Tompkins H.G., Irene E.A. Ellipsometry and polarized light. William Andrew, Inc., 2005. 902 p
- Feshchenko R.M., Pirshin I.V., Touryanski A.G., Vinogradov A.V. // J. Russian Laser Res. 1999. V. 20. N 2. P. 136--151
- Апрелов С.А., Сенков В.М., Герасименко Н.Н., Турьянский А.Г., Рыбачек Е.Н. // Изв. вузов: Электроника. 2006. N 5. С. 27--34
- Ulyanenkov A., Sobolewski S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. P. A235--A238
- Parratt L.G. // Phys. Rev. 1954. V. 95. P. 359--369
- Nevot L., Croce P. // Rev. Phys. Appl. 1980. V. 15. P. 761--779
- http://www.sspectra.com/sopra.html
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
