Продемонстрирован метод заращивания лазерных полосковых структур высокоомным фосфидом индия для ограничения области протекания тока и улучшения отвода тепла. Заращивание выполнялось с помощью метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что данный метод позволяет получать качественные эпитаксиальные слои и бездефектные границы заращивания без специальной обработки структур после фотолитографии. Все слои InP были n-типа проводимости, удельное сопротивление составляло rho~ 5· 10⁴ Omega· cm, а концентрация носителей n~ 5· 10¹⁰ cm^-3. Характеристики выращенных слоев InP позволят получать высококачественные квантовые каскадные лазеры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.