Вышедшие номера
Фотоиндуцированная деградация тандемных alpha-Si : H/muc-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах
Емельянов В.М.1, Бобыль А.В.1, Теруков Е.И.1, Честа О.И.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
Email: resso2003@bk.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Экспериментально исследована фотоиндуцированная деградация тандемных фотопреобразователей со структурой alpha-Si : H/muc-Si : H с начальным КПД 10.5% при температурах 298, 328 и 353 K. Установлено, что если при температуре 298 K наблюдается снижение КПД фотопреобразователей на 1.0-1.2% при длительной световой экспозиции, то повышение температуры до 328 K приводит к снижению деградации до 0.2% по КПД, а при температуре 353 K деградация не наблюдается. Для объяснения полученных результатов была использована модифицированная модель "H-коллизий". Определена энергия термической активации для процесса, препятствующего росту свободных (оборванных) связей в слое i-alpha-Si : H.